Установка для измерения напряжения шнурования тока в структурах мощных ВЧ и СВЧ биполярных транзисторов

Установка предназначена для измерения напряжения шнурования тока в структурах мощных ВЧ и СВЧ транзисторов с целью диагностики их качества.

Область применения: входной или выходной контроль теплофизических параметров транзисторов на предприятиях, производящих полупроводниковые приборы.

Принцип работы установки основан на измерении амплитуды переменной составляющей напряжения эмиттер – база на эмиттерном переходе при пропускании через транзистор постоянного эмиттерного тока и подаче на коллектор суммы линейно нарастающего и малого переменного напряжения. Шнурование тока в транзисторной структуре проявляется в возрастании крутизны зависимости ${\tilde U_{ЭБ}}({U_{КБ}})$

Технические характеристики установки

Тип испытуемых транзисторов	n-p-n
Диапазон измерения теплового сопротивления, К/Вт	0,1-100,0
Погрешность измерения, %	10
Диапазон тока эмиттера, А	0.1¸1.5
Амплитуда коллекторного напряжения, В	20¸100
Эффективное значение синусоидальной составляющей $\tilde U_К$, В	1
Время измерения, с	не более 2
Питание
напряжением, В	220
частотой, Гц	50
Потребляемая мощность, Вт	не более 100
Габаритные размеры, мм	260х180х110
Масса, кг	не более 1