Конференция

25-я Всероссийская молодежная научная конференция
“АКТУАЛЬНЫЕ ПРОБЛЕМЫ
ФИЗИЧЕСКОЙ И ФУНКЦИОНАЛЬНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ”

г. Ульяновск
25-27 октября 2022 г.


Программа конференции

Материалы конференции

УВАЖАЕМЫЕ КОЛЛЕГИ!

С 25 по 27 октября 2022 г. в Ульяновском филиале Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова Российской академии наук (г. Ульяновск, ул. Гончарова, 48/2) прошла работа 25-й Всероссийской молодежной научной конференции «Актуальные проблемы физической и функциональной электроники»,. 

Тематика конференции:

  • Физика низкоразмерных структур и нанокомпозитных материалов
  • Материалы и структуры микро- и оптоэлектроники
  • Теплофизические процессы в электронных приборах
  • Волоконная оптика
  • Моделирование и проектирование в электронике
  • Электронные средства измерений и контроля
  • Силовая электроника и электроника СВЧ
  • Организаторы конференции:
  • Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН (Ульяновский филиал)

  • Ульяновский государственный технический университет

  • Ульяновский государственный университет

При поддержке:

  • Президиума РАН.(г.Москва)
  • Российского Союза научных и инженерных организаций (Ульяновское отделение)


Тезисы докладов участников конференции опубликованы в сборнике материалов, который включен в базу данных РИНЦ

Почетный председатель конференции
  • Гуляев Ю.В. – академик, ИРЭ им. В.А.Котельникова РАН, Москва, Россия
Заместитель председателя конференции
  • Никитов С.А. – чл.-корр. РАН, ИРЭ им. В.А.Котельникова РАН, Москва, Россия
Председатель Программного комитета
  • Иванов О. В. – д.ф.-м.н., в.н.с. УФИРЭ им. В.А.Котельникова РАН, Ульяновск, Россия
Заместитель председателя Программного комитета
  • Сергеев В.А. – д.т.н., УФ ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН, Ульяновск, Россия

Члены программного комитета
  • Браже Р. А. – УлГТУ, Ульяновск, Россия
  • Бутов О. В. – ИРЭ им. В. А. Котельникова РАН, Москва, Россия
  • Гавриков А. А. – УФИРЭ им. В. А. Котельникова РАН, Ульяновск, Россия
  • Гурин Н. Т. – УлГУ, Ульяновск, Россия
  • Закгейм А.Л. – НТЦ микроэлектроники РАН, Санкт-Петербург, Россия
  • Климовский А. Б. – УлГТУ, Ульяновск, Россия
  • Клюев А.В. – ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
  • Кузнецова И.Е. – ИРЭ им. В. А. Котельникова РАН, Москва, Россия
  • Моисеев С. Г. – УФИРЭ им. В. А. Котельникова РАН, Ульяновск, Россия
  • Наместников А.М. – УлГТУ, Ульяновск, Россия
  • Пиганов М.Н. – СамГАУ, Самара, Россия
  • Нефедов В. И. – МИРЭА, Москва, Россия
  • Прокопенко Н. Н. – ИСОиП (филиал) ДГТУ, г. Шахты Ростовской области, Россия
  • Светухин В. В. – НПК «Технологический центр», Зеленоград, Россия
  • Святов К. В. – УлГТУ, Ульяновск, Россия
  • Пряников В. С. – ЧГУ им. И. Н. Ульянова, Чебоксары, Россия
  • Сухов С. В. – УФИРЭ им. В. А. Котельникова РАН, Ульяновск, Россия
  • Трефилов Н. А. – МИРЭА, Москва, Россия
  • Ташлинский А. Г. – УлГТУ, Ульяновск, Россия
  • Филимонов Ю. А. – СФИРЭ им. В. А. Котельникова РАН, Саратов, Россия
  • Фомин А. Н. – НИТИ им. С. П. Капицы УлГУ, Ульяновск, Россия
  • Черторийский А. А. – УФИРЭ им. В. А. Котельникова РАН, Ульяновск, Россия
  • Шалин А. С. – УФИРЭ им. В. А. Котельникова РАН, Ульяновск, Россия
  • Шевяхов Н. С. – СарФТИ НИЯУ МИФИ, Саров, Россия
  • Юрков Н.К. – ПенГУ, Пенза, Россия
Оргкомитет:

Сергеев В. А. – председатель, Фролов И. В. – зам. председателя, Браже Р. А., Бузаева М. В., Васин С. В., Гавриков А. А., Иванов О. В., Климовский А. Б., Моисеев С. Г., Сухов С. В., Фокин О. С., Фомин А.Н., Черторийский А. А.

Контакты:
Фролов Илья Владимирович, УФИРЭ им. В.А.Котельникова РАН, Ульяновск, ул. Гончарова, д. 48/2; телефон: 8(8422) 44-02-13, 44-25-35
E-mail: ufireschool@gmail.com

Участники конференции

Молодые (возрастом до 35 лет включительно) ученые, преподаватели и специалисты вузов и научных организаций, аспиранты, студенты и школьники.

Пленарные доклады     

Для расширения научного кругозора и эрудиции молодых ученых-участников конференции были представлены доклады ведущих ученых, работающих в области физической электроники, исследования нанокомпозитных материалов и структур, опто-, микро- и наноэлектроники, радиоэлектроники и волоконной оптики.

Поощрение

Всем молодым ученым, принявшим очное участие, вручены дипломы участников. В рамках конференции оргкомитетом проведен конкурс на лучший доклад. Лучшие доклады молодых ученых, представленные на конференции, отмечены дипломами  I, II и III степени:

Секция «ВОЛОКОННАЯ ОПТИКА»

1. Абельмас Максим Александрович, Ульяновский государственный технический университет. Доклад «Учет продольной компоненты электрического поля при разработке волоконно-оптических датчиков». Диплом I степени.

2. Качалкин Даниил Павлович, Ульяновский государственный университет. Доклад «Экспериментальное изучение способов уменьшения обратных потерь (френелевского отражения) в оптических волокнах». Диплом II степени.

3. Прибылов Максим Вячеславович, Ульяновский государственный университет. Доклад «Исследование деления оптической мощности в разветвителях с абсорберами на основе углеродных нанотрубок». Диплом III степени.

Секция «ТЕПЛОФИЗИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В ЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРАХ»

1. Литвинов Кирилл Андреевич, Ульяновский государственный технический университет. Доклад «Теплоэлектрическая модель мощного биполярного СВЧ транзистора с дефектом». Диплом I степени.

2. Иванов Антон Евгеньевич, НТЦ микроэлектроники РАН (г.Санкт-Петербург). Доклад «Сравнение температурных свойств светодиодов «флип-чип» и «вертикальной» конструкции». Диплом II степени.

3. Трухин Михаил Владимирович, Ульяновский государственный технический университет. Доклад «Проблемы и особенности определения тепловых параметров полупроводниковых изделий». Диплом III степени.

Секция «МОДЕЛИРОВАНИЕ И ПРОЕКТИРОВАНИЕ В ЭЛЕКТРОНИКЕ»

1. Курбако Александр Васильевич, СФИРЭ им. В.А. Котельникова РАН (г.Саратов). Доклад «Синхронизация колебательных режимов в многослойных сетях электронных нейроподобных генераторов с изменяющейся архитектурой связей». Диплом I степени.

2. Щербатов Олег Сергеевич, Ульяновский институт гражданской авиации имени Главного маршала авиации Б.П. Бугаева. Доклад «Моделирование движения электрона в цилиндрическом электростатическом поле». Диплом II степени.

3. Шишкин Глеб Андреевич, Волгоградский государственный технический университет. Доклад «Разработка программно-аппаратной системы для записи данных на микросистему Flash-память». Диплом III степени.

Секция «ФИЗИКА НИЗКОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУР И НАНОКОМПОЗИТНЫХ МАТЕРИАЛОВ»

1. Антипова Ирина Андреевна, Ульяновский государственный технический университет. Доклад «Влияние функционализированных многостенных углеродных нанотрубок на термические и механические свойства полиметилметакрилата». Диплом I степени.

2. Долгов Дмитрий Андреевич, Ульяновский государственный технический университет. Доклад «Ограничения на габариты наноэлектромеханических устройств, обусловленные квантовыми эффектами». Диплом II степени.

Секция «СИЛОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА И ЭЛЕКТРОНИКА СВЧ»

1. Похвалов Сергей Игоревич, АО «Ульяновский механический завод». Доклад «Формирование критерия неоднородности линейного излучателя                                на основе Ш – волновода». Диплом I степени.

2. Сурайкин Алексей Александрович, МГУ им. Н. П. Огарёва (г.Саранск). Доклад «Активный корректор коэффициента мощности для ЭПРА мощных амальгамных бактерицидных ламп». Диплом II степени.

3. Сазонов Павел Сергеевич, Ульяновский государственный технический университет. Доклад «Разработка антенной решетки на основе ячеистой структуры». Диплом II степени.

4. Егорцев Кирилл Александрович, Ульяновский государственный технический университет. Доклад «Оптимизация проектного решения системы управления мощными исполнительными устройствами бытовой автоматики». Диплом III степени.

Секция «МАТЕРИАЛЫ И СТРУКТУРЫ МИКРО- И ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ»

1. Маричев Артем Евгеньевич, ФТИ им. А.Ф. Иоффе (г.Санкт-Петербург). Доклад «Разработка технологии изготовления фотоприемников мощного лазерного излучения с Λ=1.06-1.55 мкм». Диплом I степени.

2. Нелюбин Илья Вадимович, Национальный исследовательский университет «МИЭТ» (г.Зеленоград). Доклад «Моделирование элементов периодической фоторезистивной маски с помощью метода оптической скаттерометрии». Диплом II степени.

3. Калинников Михаил Анатольевич, Институт физики микроструктур Российской академии наук (г.Н. Новгород). Доклад «Формирование нитридных гетероструктур с множественными квантовыми ямами InN/InGaN методом ПА МПЭ». Диплом III степени.

Секция «ЭЛЕКТРОННЫЕ СРЕДСТВА ИЗМЕРЕНИЙ И КОНТРОЛЯ»

1. Шуравин Артем Дмитриевич, Ульяновский государственный технический университет. Доклад «Техническая реализация установки для исследования термодеформаций мощных полупроводниковых приборов». Диплом I степени.

2. Кульминский Данил Дмитриевич, СФИРЭ им. В.А. Котельникова РАН (г.Саратов). Доклад «Программно-аппаратный комплекс реального времени для детирования моментов открытия гематоэнцефалического барьера по сигналам электроэнцефалограмм». Диплом II степени.

3. Айметова Дарья Маратовна, Ульяновский государственный технический университет. Доклад «Измерение амплитудно- и фазочастотных характеристик многопортовых устройств». Диплом III степени.

4. Стрелкова Анастасия Евгеньевна, Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники. Доклад «Определение времени формирования канала пробоя по упрощенной модели». Диплом III степени.




Архив: